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IRF634STRRPBF

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB Vishay Siliconix 电话:0755-83217923
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IRF634STRRPBF参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
包装数量:800
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):770pF @ 25V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装

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