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IRF634STRRPBF |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | Vishay Siliconix | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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IRF634STRRPBF参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK 包装数量:800 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压 (Vdss):250V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.1A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):770pF @ 25V 功率 - 最大值:3.1W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 嵌入式 - 微控制MC908LB8MDWER 芯片电阻 - 表面HVCB1206KDL2M00 铝电容器B43540F2827M80 存储器STK14CA8-RF45 嵌入式 - FPGAX2000-FG896I FET - 单ZVN4206AV PMIC - 电池BQ24272YFFT 固定式2534-24K 薄膜电容器ECQ-E12103KE Card EdgeESM06DRYF |